IGBTs | HGTG18N120BN

1200 V NPT IGBT

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HGTG18N120BN 基于非穿通 (NPT) IGBT 设计。 该 IGBT 非常适合许多工作频率中等，而低导通损耗又至关重要的高压开关应用，如 UPS、太阳能逆变器、电机控制和电源。

  • 不间断电源
  • 其他工业
  • 26 A、1200 V、TC = 110°C
  • 低饱和电压： VCE(sat)=2.45 V，需 IC=18 A
  • 典型下降时间。 . . . . . . . . . . . . . . 140 ns，需 TJ=150°C
  • 短路额定值
  • 低导通损耗

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

ON Target

Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

HGTG18N120BN

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

340CK

NA

0

TUBE

450

No

-

1200

26

2.45

-

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Device: HGTG18N120BN

Equivalent to wafer fab process: IGBT

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

IGBT

3

4562573939

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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