IGBTs | HGTG20N60A4D

600V，SMPS IGBT

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HGTG20N60A4D 是一个 MOS 门极高电压开关器件，组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49339。防并联中使用的二极管是开发型 TA49373。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对高频率开关模式电源进行了优化。

  • 其他工业

  • <390V，20A时的工作频率为100kHz
  • 390V，12A时的工作频率为200kHz
  • 600 V 开关 SOA 能力
  • 典型下降时间。 . . . . . . . . . . . . . . . TJ = 125&°C时为0.55ns
  • 低导通损耗
  • 温度补偿 SABER™ 模型

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VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

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HGTG20N60A4D

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Device: HGTG20N60A4D

Equivalent to wafer fab process: 2F,3B

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

2F,3B

0

552010123

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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