600V,SMPS IGBT

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HGTG30N60A4D 是一个 MOS 门极高电压开关器件,组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗,以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49343。防并联中使用的二极管是开发型 TA49373。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对高频率开关模式电源进行了优化。之前的开发型号为 TA49345。

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站

  • <lt/>100 kHz 运行(390 V、30 A)
  • 200kHz运行(390V、18A)
  • 600 V 开关 SOA 能力
  • 典型下降时间。 . . . . . . . . . T<sub>J</sub> = 125&°C时为60ns
  • 低导通损耗
  • 温度补偿式 SABER<sup>™模型

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MSL Type

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Family

V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

Reference Price

HGTG30N60A4D

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CAD Model

Pb

A

H

P

TO-247-3

NA

0

TUBE

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