IGBTs | HGTG30N60A4D

600V，SMPS IGBT

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HGTG30N60A4D 是一个 MOS 门极高电压开关器件，组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49343。防并联中使用的二极管是开发型 TA49373。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对高频率开关模式电源进行了优化。之前的开发型号为 TA49345。

  • AC-DC商用电源-服务器和工作站

  • <lt/>100 kHz 运行（390 V、30 A）
  • 200kHz运行（390V、18A）
  • 600 V 开关 SOA 能力
  • 典型下降时间。 . . . . . . . . . T<sub>J</sub> = 125&°C时为60ns
  • 低导通损耗
  • 温度补偿式 SABER<sup>™模型

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VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

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EAS Typ (mJ)

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HGTG30N60A4D

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Device: HGTG30N60A4D

Equivalent to wafer fab process: 2F,3B

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

2F,3B

0

552010123

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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