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IGBTs | HGTG30N60A4D
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HGTG30N60A4D 是一个 MOS 门极高电压开关器件，组合了 MOSFET 和双极晶体管的最佳特性。此器件具有 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗。低得多的导通状态电压降在 25°C 和 150°C 之间仅存在少量变化。使用的 IGBT 是开发型 TA49343。防并联中使用的二极管是开发型 TA49373。此 IGBT 适用于低导通损耗至关重要的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。此器件针对高频率开关模式电源进行了优化。之前的开发型号为 TA49345。
- AC-DC商用电源-服务器和工作站
- <lt/>100 kHz 运行（390 V、30 A）
- 200kHz运行（390V、18A）
- 600 V 开关 SOA 能力
- 典型下降时间。 . . . . . . . . . T<sub>J</sub> = 125&°C时为60ns
- 低导通损耗
- 温度补偿式 SABER<sup>™模型
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HGTG30N60A4D
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