IGBTs | HGTP12N60C3D

600V, UFS IGBT

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此MOS栅极高压开关器件系列充分融合了MOSFET和双极性晶体管的最佳功能。 该器件具有 MOSFET 的高输入阻抗以及双极晶体管的低通态导通损耗。 低得多的通态压降仅在25°C到150°C之间适度变化。 使用的IGBT是开发类型TA49123。 反平行与IGBT中使用的二极管是开发类型TA49188。该IGBT非常适合许多工作频率中等，而低传导损耗又至关重要的高压开关应用。以前的开发类型为TA49182。

  • 其他工业
  • 24 A、600 V，需 TC = 25°C
  • TJ = 150°C 时的典型下降时间................210 ns
  • 短路额定值
  • 低导通损耗
  • 超快速反并联二极管

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

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HGTP12N60C3D

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Pb

A

H

P

TO-220-3

340AT

NA

0

TUBE

800

No

-

600

12

1.65

-

-

-

32

-

-

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-

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Device: HGTP12N60C3D

Equivalent to wafer fab process: 2F,3B

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

2F,3B

0

552010123

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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