IGBTs | PCGA200T65NF8

IGBT，650 V，200 A 场截止沟槽

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This 650V Field Stop Trench Gen3 (FS3) IGBT bare die has a die size of 10mm x 10mm. It can be used in power module with Al wirebonding

  • Traction Module
  • General Purpose Power Module
  • EV/HEV
  • 符合 AEC-Q101 标准
  • 最高结温 175°C
  • 正温度系数
  • 易于并联
  • 短路额定电流
  • 非常低的饱和电压： VCE(SAT) = 1.53 V （典型值） @ IC = 200A
  • 针对电机控制应用进行优化

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V(BR)CES Typ (V)

IC Max (A)

VCE(sat) Typ (V)

VF Typ (V)

Eoff Typ (mJ)

Eon Typ (mJ)

Trr Typ (ns)

Irr Typ (A)

Gate Charge Typ (nC)

Short Circuit Withstand (µs)

EAS Typ (mJ)

PD Max (W)

Co-Packaged Diode

参考价格

PCGA200T65NF8

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CAD Model

Pb

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No

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650

200

1.53

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$10.6837

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Device: PCGA200T65NF8

Equivalent to wafer fab process: IGBT

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

IGBT

3

4562573939

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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