Small Signal MOSFETs | BSS138_F085
概览
这些N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这些产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。这些产品特别适合于小型伺服电动机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器等低电压、低电流应用，以及其他开关应用。
- General Low Voltage and Low Current Application
- Small Servo Motor Control
- Power MOSFET Gate Drivers
- General Switching Applications
- 0.22 A、50 V
RDS(ON) = 3.5Ω (VGS = 10 V)；RDS(ON) = 6.0Ω (VGS = 4.5 V) - 高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)
- 坚固而可靠
- 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装
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