N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管

Obsolete

概览

这些N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度 DMOS 技术生产。 这些产品专为最大限度地降低通态电阻并提供耐用、可靠的快速开关性能而设计。这些产品特别适合于小型伺服电动机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器等低电压、低电流应用,以及其他开关应用。

  • General Low Voltage and Low Current Application
  • Small Servo Motor Control
  • Power MOSFET Gate Drivers
  • General Switching Applications

  • 0.22 A、50 V
    RDS(ON) = 3.5Ω (VGS = 10 V);RDS(ON) = 6.0Ω (VGS = 4.5 V)
  • 高密度单元设计可实现极低的 RDS(ON)
  • 坚固而可靠
  • 紧凑的工业标准 SOT-23 表面贴装封装

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

Reference Price

BSS138-F085

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

1

260

REEL

3000

N

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23-3

Small Signal

Logic

0

Single

0

60

3500

±20

1.5

0.22

0.36

-

6000

-

2.4

27

0.4

-

13

6

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