Name: Dual N-Channel PowerTrench ® MOSFET, 30V, 4.6A, 31mΩ
Brand: Dual N-Channel PowerTrench ® MOSFET, 30V, 4.6A, 31mΩ
SKU: FDC30N20DZ

双 N 沟道 PowerTrench® MOSFET，30V，4.6A，31mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的。此工艺针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

特性

最大 r_DS(on) = 31 mΩ，（V_GS = 10 V、I_D = 4.6 A
）
最大 r_DS(on) = 38 mΩ，（V_GS = 4.5 V、I_D = 4.2 A
）
高性能 Trench® 技术，可实现极低的 r_DS(on)
快速开关速度
100% 经过 UIL 测试
典型 CDM ESD 保护等级 > 2.0 kV ( 备注5)
符合RoHS标准

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

V_GS Max (V)

V_gs(th) Max (V)

I_d Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Q_gd Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_rr Typ (nC)

C_oss Typ (pF)

C_rss Typ (pF)

参考价格

FDC30N20DZ

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TSOT-23-6

419BL

260

REEL

3000

N-Channel

PowerTrench® T1

TSOT-23-6

Small Signal

Logic

Single

4.6

0.96

2.7

356

Price N/A

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

11968865347

Small Signal MOSFETs | FDC30N20DZ

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