Small Signal MOSFETs | FDC6305N

双 N 沟道，PowerTrench® MOSFET，2.5V 指定，20V，2.7A，80mΩ

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此类 N 沟道低阈值 2.5V 指定 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 2.7 A, 20 V
  • RDS(on) = 0.08Ω @ VGS = 4.5 V
  • RDS(on) = 0.12Ω @ VGS = 2.5V
  • 低栅极电荷（3.5nC，典型值）
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • SuperSOT™ -6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDC6305N

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CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-6

Small Signal

Logic

0

Dual

0

20

-

8

1.5

2.7

0.96

Q1=Q2=120

Q1=Q2==0.08*1000

3.7

3.5

310

-

-

-

-

$0.1892

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Device: FDC6305N

Equivalent to wafer fab process: TR

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

TR

1

3586390609

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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