Small Signal MOSFETs | FDC6506P

双 P 沟道 PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，-30V，-1.8A，170mΩ

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此类 P 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的 SO-8 和 TSSOP-8 封装的应用，可利用其非常小的占位提供出色的功率耗散。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • -1.8 A，-30 V。
  • RDS(on) = 0.170 Ω @ VGS = -10 V
  • RDS(on) = 0.280 Ω @ VGS = -4.5 V
  • 低栅极电荷（典型值2.3nC）
  • 快速开关速度。
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(ON)
  • SuperSOT™-6封装： 小尺寸（比标准SO-8小72%）；薄型（1mm厚）。

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

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Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDC6506P

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已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

TSOT-23-6

419BL

1

260

REEL

3000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

TSOT-23-6

Small Signal

Logic

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Dual

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-30

Q1=Q2=170

20

-3

-1.8

0.96

NA

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2.3

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Price N/A

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FDC6506P-NB4S006A

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419BL

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REEL

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P-Channel

PowerTrench® T1

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Small Signal

Logic

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Dual

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Q1=Q2=170

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Device: FDC6506P

Equivalent to wafer fab process: TR

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

TR

1

3586390609

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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