Small Signal MOSFETs | FDC653N
概览
此 N 沟道增强型场效应功率晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属工艺生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMICA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- 5 A，30 V
- RDS(ON) = 0.035 Ω @ VGS = 10 V
- RDS(ON) = 0.055 Ω @ VGS = 4.5 V
- 专有SuperSOTTM-6封装设计采用铜引脚架构，以获得出色的热性能和电气性能
- 高密度单元设计，可实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通阻抗和最大DC电流能力
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