Small Signal MOSFETs | FDG313N

N 沟道，数字 FET，25V，0.95A，0.45Ω

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此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET 而设计的。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 0.95 A，25 V。 RDS(on) = 0.45 Ω @ VGS = 4.5 V。 RDS(on) = 0.60 Ω @ VGS = 2.7 V。
  • 低栅极电荷（1.64nC典型值）
  • 极低电平的栅极驱动要求允许直接在3 V电路(VGS(th)1.5V)中进行操作。
  • 栅源齐纳二极管可实现ESD稳固性（6kV人体模型）。
  • 紧凑的工业标准SC70-6表面贴装封装。

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Container Qty.

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Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

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FDG313N

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Pb

A

H

P

SC-88-6 / SC-70-6 / SOT-363-6

419AD

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Single

0

25

-

8

1.5

0.95

0.75

NA

620

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1.64

NA

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