Small Signal MOSFETs | FDPC4044

共漏极，N 沟道，PowerTrench® MOSFET，30V，27A，4.3mΩ

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此器件专门设计为锂电子电池组保护电路和其他超便携应用中的单封装解决方案。它具有两个共漏极 N 沟道 MOSFET，可实现双向电流流动。FDPC4044 将安森美半导体先进的 PowerTrench® 工艺与封装工艺相结合，可最大程度降低导通电阻。

  • 笔记本电脑
  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • rS1S2(on)最大值 = 4.3 mΩ（VGS = 10 V、IS1S2 = 27 A）
  • rS1S2(on)最大值 = 6.4 mΩ（VGS = 4.5 V、IS1S2 = 23 A）
  • 封装尺寸/高度： 3.3 x 3.3 x 0.8 mm
  • 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
  • MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  • 符合 RoHS 标准

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDPC4044

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已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

483BP

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

PQFN-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

30

Q1=Q2=4.3

20

3

27

2.7

-

Q1=Q2=6.4

18

35

2295

-

-

-

-

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Device: FDPC4044

Equivalent to wafer fab process: RN

产品技术

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等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

RN

9

11968865347

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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