Small Signal MOSFETs | FDS2672_F085

N 沟道，UltraFET® 沟槽，200V，3.9A，70mΩ

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此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 UItraFET Trench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。

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  • 最大 rDS(on) = 70 mΩ（VGS = 10 V、ID = 3.9 A）
  • 最大 rDS(on) = 80 mΩ（VGS = 6 V、ID = 3.5 A）
  • 快速开关速度
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDS2672-F085

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Standard

0

Single

0

200

70

±20

4

3.9

2.5

NA

-

-

33

NA

7

179

100

30

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Device: FDS2672-F085

Equivalent to wafer fab process: 2C

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

2C

0

3942797527

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Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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