N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,12.8A,10.5mΩ

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此单 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • DC-DC Conversion
  • 最大rDS(on) = 10.5m(VGS = 10V, ID = 12.8A
  • 最大rDS(on) = 12.3mΩ (VGS = 4.5V, ID = 11.4A
  • 低栅极电荷
  • 高性能沟道技术可实现极低的rDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 符合RoHS标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Single

0

40

10.5

±20

3

12.8

2.5

-

12.3

-

19

2000

7

9.5

250

150

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