N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,18A,4.3mΩ

概览

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Synchronous Rectifier
  • Load Switch
  • VGS = 10 V,ID = 18 A时,最大rDS(on) = 4.3 mΩ
  • VGS = 4.5 V,ID = 16 A时,最大rDS(on) = 5.4 mΩ
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 100%经过UIL测试
  • 符合RoHS标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

2500

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Single

0

40

4.3

±20

3

18

2.5

-

5.4

10

27

4270

7.2

30

1175

120

$0.5467

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