小信号MOSFET | FDS8928A
概览
此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供卓越的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- N沟道5.5 A，30 V
- RDS(ON)=0.030 Ω @ VGS=4.5 V
- 高密度设计可实现极低的RDS(ON)
- 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
- 表面贴装封装中的双（N和P沟道）MOSFET
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