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Small Signal MOSFETs | FDS8958A_F085
概览
此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。这些器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。
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- Q1：N沟道
- 7.0 A、30 V、RDS(ON) = 0.040Ω(VGS = 4.5 V) Q2：P-沟道
- 快速开关速度
- 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
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A
H
P
SOIC-8
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260
REEL
2500
No
Complementary
PowerTrench® T1
SOIC-8
Small Signal
Logic
0
Dual
0
±30
N: 28, P: 52
20
±3
N: 7.0, P: 5.0
2
-
N: 40, P: 80
-
9.6
N: 575, Q2:528
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