Small Signal MOSFETs | FDS8958B

双 N 和 P 沟道 PowerTrench® MOSFET 30V

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此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • DC-DC Conversion
  • BLU and Motor Drive Inverter
  • Q1： N沟道
  • 最大值 RDS(on) = 39mΩ（VGS = 4.5V，ID = 5.2A）Q2： P沟道
  • HBM静电放电保护等级为>3.5 kV
  • 符合RoHS标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDS8958B

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

No

Complementary

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Logic

0

Dual

0

±30

N:26.0,P:51.0

25

±3

N: 6.4, P: -4.5

2

-

N:39.0, P:80.0

9

7

570

-

-

-

-

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Device: FDS8958B

Equivalent to wafer fab process: T5,TV

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

T5,TV

0

275069112

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Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

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