Small Signal MOSFETs | FDS8960C

双 N 和 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，35V

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此类双 N 和 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的，特别适合最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于需要线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Q1： N沟道、7.0 A、35V
  • RDS(ON) = 0.032 mΩ @ VGS = 4.5 VQ2： P沟道-5A，-35V
  • 快速开关速度
  • 符合RoHS标准

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Compliance

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDS8960C

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CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

751EB

1

260

REEL

2500

No

Complementary

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Dual

0

±35

N:24.0,P:53.0

25

±3

N: 7.0. P: -5.0

2

NA

-

5

5.7

NA

-

-

-

-

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