N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,5.6A,160mΩ

概览

此 N 沟道 MOSFET 使用先进的 PowerTrench® 工艺生产,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。

  • LED 电视
  • 消费型设备
  • Synchronous Rectification
  • Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverters
  • RDS(on) = 121 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V, ID = 2.8 A
  • RDS(on) = 156 mΩ (典型值)@ VGS = 5 V, ID = 1.8 A
  • 快速开关速度
  • 低栅极电荷(典型值2.9nC)
  • 高性能沟道技术可实现极低的RDS(on)
  • 高功率和高电流处理能力
  • 符合RoHS标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDT1600N10ALZ

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

260

REEL

4000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-4

Small Signal

Standard

0

Single

0

100

160

±20

2.8

5.6

10.42

-

-

-

2.9

169

0.64

32.7

43

2.04

$0.2307

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