N 沟道,PowerTrench® MOSFET,150V,2A,228mΩ

概览

此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,针对 rDS(on)、开关性能和坚固性进行了优化。

  • Load Switch
  • Primary Switch
  • Buck/Boost Switch
  • 最大 rDS(on) = 228 mΩ(VGS = 10 V、ID = 2 A
  • 最大 rDS(on) = 280 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 1.8 A
  • 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
  • 高功率、高处理能力、采用广泛使用的表面贴装封装
  • 快速开关速度
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDT86246L

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-223-4 / TO-261-4

1

260

REEL

4000

Yes

N-Channel

PowerTrench® T1

SC-4

Small Signal

Logic

0

Single

0

150

228

±20

4

2

2.2

-

280

-

2.3

238

1

31

20

2

$0.3257

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