Small Signal MOSFETs | FDZ1905PZ

共漏极 P 沟道 1.5V PowerTrench® WL-CSP MOSFET -20V，-3A，123mΩ

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此器件专门设计作为蜂窝手机和其他超便携应用中电池充电开关的单封装方案。它具有两个共漏极 P 沟道 MOSFET，可实现双向电流流向。FDZ1905PZ 在先进的 1.5V PowerTrench® 工艺的基础上采用最先进的“低间距” WL-CSP 封装工艺，可最大程度减小 PCB 空间和 rS1S2(on)。这种先进的 WL-CSP MOSFET 体现了封装技术的突破，使得该器件能够将优异的传热特性、超小型封装、低门极电荷和低 rS1S2(on) 等诸多性能结合在一起。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Battery Management
  • Load Switch
  • Battery Protection
  • 最大 rS1S2(on) = 126mΩ（VGS = -4.5V，IS1S2 = -1A 时）
  • 最大 rS1S2(on) = 141mΩ（VGS = -2.5V，IS1S2 = -1A 时）
  • 最大 rS1S2(on) = 198mΩ（VGS = -1.8V，IS1S2 = -1A 时）
  • 最大rS1S2(on) = 303mΩ（VGS = -1.5V，IS1S2 = -1A 时）
  • 仅占1.5mm²的PCB空间，比2 x 2 BGA所占空间少50%
  • 超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.65 mm
  • 高功率和高电流处理能力
  • HBM静电放电保护等级为>4kV（注3）
  • 符合 RoHS 标准

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Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDZ1905PZ

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CAD Model

Pb

A

H

P

WLCSP-6

567PW

1

260

REEL

5000

No

P-Channel

PowerTrench® T1

NA

Small Signal

Logic

0

Dual

0

-20

-

8

-1

-3

1.5

NA

Q1=Q2=141

-

-

NA

-

-

-

-

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