N 沟道 QFET® MOSFET 500V,0.37A,6.2Ω

已停产

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此 N 沟道增强型功率 MOSFET 是使用安森美半导体的平面条纹和 DMOS 专属技术生产的。此先进 MOSFET 技术特别适用于降低导通电阻,提供出色的开关性能以及高雪崩能量强度。此类器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正 (PFC) 和电子灯镇流器。

  • 照明
  • 0.37A, 500V, RDS(on) = 6.2Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 0.185A栅极电荷低(典型值:6.3nC)
  • 低 Crss(典型值4.5pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 100% avalanche tested

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状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

已停产

CAD Model

Pb

A

H

P

SOIC-8

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOIC-8

Small Signal

Standard

0

Dual

0

500

Q1=Q2=6200

±30

4

0.37

2

-

-

-

6.3

155

3.63

175

25

4.5

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