Small Signal MOSFETs | NDS8434
概览
此类双 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，可提供出色的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- -6.5 A, -20 V
rDS(ON) = 35 mΩ @ VGS = -4.5 V
rDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -2.7 V - High Density Cell Design for Extremely Low rDS(ON)
- High Power and Current Handling Capability in a Widely Used Surface Mount Package
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