Protected MOSFETs | NIMD6001

MOSFET 驱动器 60 V，3.3 A 130 mΩ 双 N 沟道，带诊断输出

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NIMD6001N 是一款双 3 A 低压侧开关，带集成式共禁用输入和漏极诊断输出。 将禁用引脚拉至低电平将超越应用的任何门极电压，并关断两个 FET 开关。 如果漏极-源极电压超过大约 50V，则逻辑 1 在诊断/反馈引脚上有效。 内部隔离二极管允许多个器件的禁用和诊断/反馈引脚在有线 OR 配置中进行互联，而无需额外部件。

  • Injector Driver
  • Automobiles
  • 110m Maximum RDSON at VGS=10V
  • Avalanche Energy Specified
  • Gate Drive Disable Input
  • Drain-Source Voltage Diagnostic Feedback Output
  • Electrically Isolated Drains
  • Internal Resistors Limit Peak Transient Gate Current
  • AEC-Q101 Qualified

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NIMD6001NR2G

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Pb

A

H

P

SOIC-8

751-07

1

260

REEL

2500

No

N-Channel

60

3

130

-

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