安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET

PHOENIX – 10 maggio, 2022 – onsemi (Nasdaq: ON), azienda leader nei settori delle tecnologie di rilevamento e della potenza intelligente - ha annunciato il primo MOSFET in carburo di silicio (SiC) in package TOLL (TO-Leadless) a questa edizione di PCIM Europe. Questo transistor soddisfa la crescente richiesta di dispositivi di commutazione ad alte prestazioni adatti per lo sviluppo di progetti contraddistinti da un’elevata densità di potenza. Fino a non molto tempo fa, i dispositivi SiC erano forniti in package D2PAK a 7 terminali, caratterizzati da ingombri decisamente superiori.

Grazie alle ridotte dimensioni, pari a soli 9,9x11,68 mm, e all’altezza di appena 2,3 mm, il package TOLL permette di ridurre del 30% gli ingombri sulla scheda PCB e del 60% il volume occupato rispetto al package D2PAK.

Oltre alle dimensioni ridotte, il package TOLL assicura anche migliori prestazioni termiche e un’induttanza del package inferiore (pari a soli 2 nH) rispetto al package D2PAK a 7 terminali. La connessione Kelvin-source assicura una riduzione del rumore di gate e delle perdite di potenza in fase di commutazione, compresa una diminuzione del 60% delle perdite in fase di accensione (EON) rispetto a un dispositivo privo di connessione Kelvin, con significativi miglioramenti di efficienza e di densità di potenza in progetti di potenza complessi. Tra gli altri vantaggi da segnalare le ridotte interferenze EMI e la maggior semplicità del progetto della scheda PCB.

“La possibilità di realizzare progetti di potenza estremamente affidabili di dimensioni ridotte – ha spiegato Asif Jakwani, senior vice president e general manager della Advanced Power Division di onsemi – si è trasformata in un vantaggio competitivo in molti segmenti applicativi, tra cui quello industriale, degli alimentatori ad alte prestazioni e dei server. L’integrazione dei nostri avanzati MOSFET SiC in un package TOLL non solo permette di diminuire gli ingombri, ma anche di migliorare le prestazioni sotto molti aspetti, come a esempio le interferenze EMI, e di ridurre le perdite. Il risultato è un dispositivo di commutazione ad alte prestazioni, estremamente affidabile e robusto, che consentirà ai progettisti di soddisfare le severe specifiche dei loro design di potenza”.

I dispositivi SiC offrono vantaggi significativi rispetto ai loro predecessori realizzati in silicio, tra cui migliore efficienza alle alte frequenze, interferenze EMI ridotte, funzionamento a temperature più elevate e maggiore affidabilità. onsemi è l'unico fornitore di soluzioni SiC a integrazione verticale, ovvero in grado di sviluppare al proprio interno tutte le fasi produttive, tra cui accrescimento dei cristalli (boule) di carburo di silicio, substrati, epitassia, fabbricazione dei dispositivi e realizzazione di soluzioni in package discreti e moduli integrati.

Il primo MOSFET SiC disponibile in package TOLL è NTBL045N065SC1 destinato ad applicazioni complesse quali alimentatori a commutazione (SMPS – Switch Mode Power Supply), alimentatori per server e apparati telecom, inverter fotovoltaici, UPS (Uninterruptible Power Supply) e sistemi per immagazzinamento dell’energia. Questo dispositivo è adatto per lo sviluppo di progetti che devono rispettare le specifiche dei più stringenti standard di efficienza, tra cui ErP e 80 PLUS Titanium.

Tra le caratteristiche di rilievo di NTBL045N065SC1 da segnalare le seguenti: VDSS nominale di 650 V con RDS(on) di soli 33 mΩ (valore tipico) e massima corrente di drain (ID) di 73 A. Realizzato in carburo di silicio (materiale semiconduttore ad ampia banda proibita), questo dispositivo può operare a una temperatura massima di 175°C e si distingue per la bassissima carica di gate (QG(tot) = 105 nC) che permette di ridurre significativamente le perdite di conduzione. Il package TOLL, inoltre, è qualificato (e garantito) MSL 1 (Moisture Sensitivity Level 1) per assicurare una riduzione del tasso di guasto nella produzione in volumi.

Oltre a ciò, onsemi propone dispositivi qualificati per l’uso in applicazioni automotive in package TO-247 (a 3 e 4 terminali) e D2PAK (a 7 terminali).