N 沟道 PowerTrench® MOSFET 20V,6.1A,28mΩ

概览

此 N 沟道 PowerTrench MOSFET 是使用先进的 PowerTrench® 工艺生产的,适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现出色的开关性能。

  • Primary DC-DC Switch
  • Load Switch
  • 最大值 RDS(on) = 39mΩ(VGS = 4.5V,ID = 5.2A)
  • 最大 rDS(on) = 132 mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 2.7 A
  • 高性能沟槽技术可实现极低的 rDS(on)
  • 高功率和电流I处理能力,广泛采用
  • 快速开关速度
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Channel Polarity

Silicon Family

Package Name

Type

Gate Level

Wide SOA Mosfets

Configuration

OPN in older Technology

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

VGS Max (V)

Vgs(th) Max (V)

Id Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qrr Typ (nC)

Coss Typ (pF)

Crss Typ (pF)

参考价格

FDN028N20

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-23-3

1

260

REEL

3000

No

N-Channel

PowerTrench® T1

SOT-23

Small Signal

Logic

0

Single

0

20

-

12

1.5

6.1

1.5

45

28

12

2.8

399

-

-

-

-

$0.1343

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