FFSH50120A: SiC 二极管,1200V,50A,TO-247-2

Datasheet: Silicon Carbide Schottky Diode 1200 V, 50 A
Rev. 3 (177kB)
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碳化硅 (SiC) 肖特基二极管使用全新技术, 能够提供出色的开关性能,且比硅具有更高的可靠性。碳化硅的无逆向恢复电流、温度无关开关特性和出色的 热性能,使其成为下一代功率半导体产品。系统优点包括最高能效、更快的运行频率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及减小的系统尺寸和成本。
特性
 
  • Max Junction Temperature 175 °C
  • Max Junction Temperature 175 °C
  • Positive Temperature Coefficient
  • Ease of Paralleling
  • No Reverse Recovery / No Forward Recovery
应用
  • PFC
  • Industrial Power
  • Solar
  • EV Charger
  • UPS
  • Welding
技术文档及设计资源
数据表 (1) 视频 (1)
封装图纸 (1)  
Availability & Samples
Specifications
Interactive Block Diagram
产品
状况
Compliance
具体说明
封装
MSL
容器
预算价格 (1千个数量的单价)
类型
外形
类型
Temperature
类型
数量
FFSH50120A Active
Pb-free
Halide free
FFSH50120A TO-247-2 340CL NA Tube 450 $15.7
市场订货至交货的时间(周) : Contact Factory

Product
Description
Pricing ($/Unit)
Compliance
Status
Device Grade
Configuration
VRRM (V)
IF(ave) (A)
VF (Max)
IFSM (A)
IR (Max) (µA)
Package Type
FFSH50120A  
 $15.7 
Pb
H
 Active   
Commercial
Single
1200
50
1.75
280
200
TO-247-2
外形
340CL   
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