碳化硅(SiC)MOSFET – EliteSiC系列,33 mohm,650V,M2,TOLL封装

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碳化硅MOSFET 采用全新工艺技术,相较于硅基款,能够带来更加优越的开关性能和更高的可靠度。此外,低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷,为系统带来更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI,以及更小的系统尺寸。TOLL开尔文源极配置封装和更低的寄生源电感,提供更好的热性能和优秀的开关性能,以及1级湿度敏感度。

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  • 太阳能
  • 最高结温175°C
  • 无引线SMD薄封装
  • 开尔文源极配置
  • 超低栅极电荷 (QG(tot) = 105 nC)
  • 低有效输出电容(Coss = 162 pF)
  • 体二极管反向恢复电流为零
  • Typ. RDS(on) = 33 mΩ @ Vgs : 18V
  • 650V额定电压
  • 100%通过雪崩测试
  • 无铅,无卤素/溴化阻燃剂(RFB),符合RoHS标准
  • 1级湿度敏感度
  • 内部栅极电阻: 3.1 Ω

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MSL Temp (°C)

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Blocking Voltage BVDSS (V)

ID(max) (A)

RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ)

Qg Total (nC)

Output Capacitance (pF)

Tj Max (°C)

Reference Price

NTBL045N065SC1

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Pb

A

H

P

H-PSOF8L 9.90x10.38x2.30, 1.20P

1

260

REEL

2000

F

M2

650

73

33

105

162

175

$6.7164

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