Silicon Carbide (SiC) MOSFETs | NTBG028N170M1

碳化硅（SiC）MOSFET – EliteSiC系列，28 mohm，1700 V，M1，D2PAK-7L封装

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全新系列1700V M1平面型SiC MOSFET，优化用于快速开关应用。平面工艺在负栅极驱动电压和栅极上的关断尖峰下都能够可靠运行。这一系列在用18V栅极驱动时能提供最佳性能，但同样适用15V栅极驱动。

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  • 氢气电解器
  • 燃料电池

  • 用于低共源电感的D2PAK-7L封装
  • 18V至20V栅极驱动
  • 全新1700V M1技术：28mohm RDS(ON)，低EON和低EOFF损耗
  • 100%通过雪崩测试

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D2PAK7 (TO-263-7L HV)

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REEL

800

No

M1

1700

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28

200

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175

$26.6721

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