碳化硅(SiC)MOSFET – EliteSiC系列,28 mohm,1700 V,M1,D2PAK-7L封装

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全新系列1700V M1平面型SiC MOSFET,优化用于快速开关应用。平面工艺在负栅极驱动电压和栅极上的关断尖峰下都能够可靠运行。这一系列在用18V栅极驱动时能提供最佳性能,但同样适用15V栅极驱动。

  • AC-DC转换
  • DC-AC转换
  • DC-DC转换

  • 光伏逆变器
  • UPS
  • 固态变压器
  • 中压电网设备
  • 储能系统
  • 氢气电解器
  • 燃料电池

  • 用于低共源电感的D2PAK-7L封装
  • 18V至20V栅极驱动
  • 全新1700V M1技术:28mohm RDS(ON),低EON和低EOFF损耗
  • 100%通过雪崩测试

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MSL Type

MSL Temp (°C)

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Family

Blocking Voltage BVDSS (V)

ID(max) (A)

RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ)

Qg Total (nC)

Output Capacitance (pF)

Tj Max (°C)

Reference Price

NTBG028N170M1

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CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

1

245

REEL

800

F

M1

1700

81

28

200

200

175

$26.6721

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