方案
按技术分类
设计
全新系列1700V M1平面型SiC MOSFET,优化用于快速开关应用。平面工艺在负栅极驱动电压和栅极上的关断尖峰下都能够可靠运行。这一系列在用18V栅极驱动时能提供最佳性能,但同样适用15V栅极驱动。
Product services, tools and other useful resources related to NTBG028N170M1
搜寻
Close Search
产品:
1
分享
排序方式
产品系列:
┗
可订购器件:
1
产品
Show More
1-25 of 25
Products per page
Jump to :
Product support description
向销售发送邮件