Silicon Carbide (SiC) MOSFETs | NVBG020N090SC1

碳化硅（SiC）MOSFET，N沟道– EliteSiC系列，20 mohm，900V，M2，D2PAK−7L封装

量产中

相似产品推荐

数据表

购买

概览

EliteSiC系列碳化硅MOSFET 采用全新工艺技术，相较于硅基款，能够带来更加优越的开关性能和更高的可靠度。此外，低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷，为系统带来更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI，以及更小的系统尺寸。

  • 汽车PFC
  • 汽车DC/DC
  • 用于EV/PHEV的DC/DC转换器
  • 车载充电机
  • AEC−Q101车规级认证
  • 900V额定电压
  • Max RDS(on) = 28 mΩ at Vgs = 15V, Id = 60A
  • 高速开关和低电容
  • 100% 通过 UIL 测试
  • 符合RoHS标准

工具和资源

与NVBG020N090SC1相关的产品服务、工具和其他资源

CAD Model

CAD模型

物质成分

产品更改通知

可靠性数据

Elite Power Simulator

PLECS Model Generator

产品参数及购买信息

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

排序方式

产品系列:

┗

可订购器件:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

Family

Blocking Voltage BVDSS (V)

ID(max) (A)

RDS(on) Typ @ 25°C (mΩ)

Qg Total (nC)

Output Capacitance (pF)

Tj Max (°C)

参考价格

NVBG020N090SC1

联系销售

量产中

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK7 (TO-263-7L HV)

418BJ

1

245

REEL

800

Yes

M2

900

112

20

200

295

175

$21.2698

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :

1
contact sales icon

支持服务

联系安森美销售团队获得支持，查询或者对比产品细节。

可靠性数据

Die Related Summary Data

Device: NVBG020N090SC1

Equivalent to wafer fab process: SIC

产品技术

产品技术

等效器件小时

平均故障间隔时间/平均无故障时间（按小时计算）

FITS

SIC

0

32191536553

More Details

Re-calculate Data

Data is based on the following assumptions.

Note: The temperature and confidence level may be adjusted to your requirements.

Disclaimer: A reliability FIT rate calculated using this tool shall not be used for any functional safety purpose. In case a raw FIT rate needs to be estimated for a component which is targeted to be used in a safety critical application (i.e. compliant to ISO 26262 standard) it should be calculated according to generic safety standards (IEC62380, IEC61709, SN29500, FIDES, etc.)

重新搜寻