FDA8440

N 沟道，PowerTrench® MOSFET，逻辑电平，40 V，10 A，2.1 mΩ

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N 沟道，PowerTrench® MOSFET，40 V，10 A，2.1 mΩ，这种最新的屏蔽门极 PowerTrench® MOSFET 具有更小的 QSYNC，卓越的软逆向恢复本征体二极管性能，开关速度快，可大幅提高同步整流的能效。

应用

AC-DC商用电源
AC-DC商用电源-服务器和工作站
工业级电机
其他工业

特性

R_DS(on) = 1.46mΩ （典型值） @ V_GS = 10V, I_D = 80A
Q_G(tot) = 345nC（典型值） @ V_GS = 10V
低米勒电荷
低 Q_rr 体二极管
UIS 能力（单脉冲和重复脉冲）
保证160A电流持续2秒
符合 RoHS 标准

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDA8440

Last Shipments

TO-3P-3L

340BZ

TUBE

450

2.1

N-Channel

Single

±30

100

306

345

18600

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分销代理商		Stock	BUY

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