安森美为包括设计工程、产品原型、生产制造在内的各类代工项目，提供项目经理、客服资源、产品推广经理等支持。我们在欧洲和美国的晶圆代工专家能够提供直接的工厂技术沟通，支持完成掩膜制作、工艺集成、测试开发、良率提升和原型交付。
我们经验丰富的专业团队能快速将您的几何数据按照您的需要转换成品原型。无论您需要晶圆、裸片、还是经测试的封装单元，我们都拥有对应的高效原型流程，确保您的开发项目能够按计划进行。
安森美具有超过45年的代工制造经验，具备各类工艺以满足客户需求，支持长寿命、高质量的产品和长期的合作关系。结合公司的财务实力，这样的承诺让我们的客户有信心做出长期稳定的产品采购决策。
安森美与两家多项目公司MOSIS 和 Europractice合作，这两家公司通过将多种设计集成到一个掩膜上，为VLSI电路开发提供原型和小批量生产服务。掩膜制作、晶圆制造和器件封装均可以通过MOSIS 和Europractice完成。
| 最少需要的多晶硅(µ) | 0.18 | 晶圆尺寸(in) | 8 |
| 金属层数 | 4 - 6 | 运行电压(Vgs) | 1.8/3.3 |
| 第1层金属间距 | 0.46 | 线性电容 | MIM |
| NVM | Yes | HV器件(Vds) | 45/70 |
| N-Ch DMOS | Yes | Bi-polars | No |
| P-Ch DMOS | Yes | Trans Char | Salicide |
| 其他器件 | 电阻器 |
| 最少需要的多晶硅(µ) | 0.18 | 晶圆尺寸(in) | 8 |
| 金属层数 | 4 - 6 | 运行电压(Vgs) | 5/18 |
| 第1层金属间距 | 0.46 | 线性电容 | MIM |
| NVM | Yes | HV器件(Vds) | 18 |
| N-Ch DMOS | Yes | Bi-polars | No |
| P-Ch DMOS | Yes | Trans Char | Salicide |
| 其他器件 | 电阻器 |
| 最少需要的多晶硅(µ) | 0.18 | 晶圆尺寸(in) | 8 |
| 金属层数 | 4 - 6 | 运行电压(Vgs) | 1.8/5 |
| 第1层金属间距 | 0.46 | 线性电容 | MIM |
| NVM | Yes | HV器件(Vds) | 30 |
| N-Ch DMOS | Yes | Bi-polars | No |
| P-Ch DMOS | Yes | Trans Char | Salicide |
| 其他器件 | 电阻器 |
| 最少需要的多晶硅(µ) | 0.18 | 晶圆尺寸(in) | 8 |
| 金属层数 | 4 - 6 | 运行电压(Vgs) | 1.8/3.3 |
| 第1层金属间距 | 0.46 | 线性电容 | MIM |
| NVM | Yes | HV器件(Vds) | 15 |
| N-Ch DMOS | Yes | Bi-polars | No |
| P-Ch DMOS | Yes | Trans Char | Salicide |
| 其他器件 | 电阻器 |
| 最少需要的多晶硅(µ) | 0.25 | 晶圆尺寸(in) | 8 |
| 金属层数 | 2 - 5 | 运行电压(Vgs) | 2.5/3.3/5 |
| 第1层金属间距 | 0.64 | 线性电容 | MIM |
| NVM | Yes | HV 器件(Vds) | 5 |
| N-Ch DMOS | No | Bi-polars | Yes |
| P-Ch DMOS | No | Trans Char | Salicide |
| 其他器件 | Misc. |
| 最少需要的多晶硅(µ) | 0.25 | 晶圆尺寸(in) | 8 |
| 金属层数 | 2 - 5 | 运行电压(Vgs) | 5/12 |
| 第1层金属间距 | 0.64 | 线性电容 | MIM |
| NVM | Yes | HV器件(Vds) | 40 |
| N-Ch DMOS | Yes | Bi-polars | Yes |
| P-Ch DMOS | Yes | Trans Char | Salicide |
| 其他器件 | Misc. |
| 最少需要的多晶硅(µ) | 0.35 | 晶圆尺寸(in) | 8 |
| 金属层数 | 3 - 5 | 运行电压(Vgs) | 3.3/5 |
| 第1层金属间距 | 1.10 | 线性电容 | PIP |
| NVM | Yes | HV器件(Vds) | 5 |
| N-Ch DMOS | No | Bi-polars | No |
| P-Ch DMOS | No | Trans Char | Salicide |
| 其他器件 | 电阻器 |
| 最少需要的多晶硅(µ) | 0.35 | 晶圆尺寸(in) | 8 |
| 金属层数 | 3 - 5 | 运行电压(Vgs) | 3.3/12 |
| 第1层金属间距 | 1.00 | 线性电容 | MIM |
| NVM | Yes | HV器件(Vds) | 18 |
| N-Ch DMOS | Ywa | Bi-polars | Yes |
| P-Ch DMOS | Yes | Trans Char | Salicide |
| 其他器件 | 电阻器 |
| 最少需要的多晶硅(µ) | 0.35 | 晶圆尺寸(in) | 6 & 8 |
| 金属层数 | 3 - 5 | 运行电压(Vgs) | 3.3 |
| 第1层金属间距 | 1.00 | 线性电容 | MIM |
| NVM | Yes | HV器件 (Vds) | 40 |
| N-Ch DMOS | Yes | Bi-polars | Yes |
| P-Ch DMOS | Yes | Trans Char | Salicide |
| 其他器件 | Misc. |
| 最少需要的多晶硅(µ) | 0.35 | 晶圆尺寸(in) | 6 & 8 |
| 金属层数 | 3 - 5 | 运行电压(Vgs) | 3.3 |
| 第1层金属间距 | 1.00 | 线性电容 | MIM |
| NVM | Yes | HV器件(Vds) | 70 |
| N-Ch DMOS | Yes | Bi-polars | Yes |
| P-Ch DMOS | Yes | Trans Char | Salicide |
| 其他器件 | Misc. |
| 最少需要的多晶硅(µ) | 0.6 | 晶圆尺寸(in) | 8 |
| 金属层数 | 2 - 3 | 运行电压(Vgs) | 5/12 |
| 第1层金属间距 | 1.50 | 线性电容 | PIP |
| NVM | Yes | HV器件(Vds) | 20 |
| N-Ch DMOS | Yes | Bi-polars | No |
| P-Ch DMOS | Yes | Trans Char | Poly |
| 其他器件 | Misc. |
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Anatrix Integrated Circuits
asicNorth
用于检测两个电源的电压电平的双供电上电复位电路。 随着供电量上升，ANPOR0400 会监控两个电源的电压电平，并在电压超过正常工作范围时进行报告。当两个电源都在正常范围内后，ANPOR0400 会将输出信号锁存为高电平并进入超低功耗状态。
IP PDF 工艺：ONC18G/MS I4T 45v/70v Hexius Semiconductor
HX11AA 是一款12位数、伪差分100ksps SAR模数转换器，优化用于将模拟信号高精度转换为数字域。可选项包括一个16通道输入MUX。
IP PDF 工艺：ONC18G/MS I4T 45v/70vHX11BA是一个禁带电路，提供不受温度影响的基准电压和10 个额外的与绝对温度成正比 (PTAT)电流源。 HX11BA 还可用于连接和布局邻接HX11Rx IP产品。
IP PDF 工艺：ONC18G/MS I4T 45v/70vHX11DA 是一款12位数模转换器，可接受100kHz输入频率带宽。 优化用于将低带宽数字信号高精度转换到模拟域。 包括一个能够驱动高达100pF负载的输出缓冲器。
IP PDF 工艺：ONC18G/MS I4T 45v/70vHX11PA是一个带互补释放信号的上电复位(POR)模块化电路。上升的电源电压阈值约为2.1V。下降电压阈值约为 1.9V。POR对于快速和低速电源上升均可使用。
IP PDF 工艺：ONC18G/MS I4T 45v/70vHX11RA是一款电压调节器，用于为片上电路提供电压基准或供应。 可实现各种输出电压。可用于连接和布局紧靠 HX11BA禁带IP，该IP提供1.21V基准电压和24µA偏置电流，结构紧凑。
IP PDF 工艺：ONC18G/MS I4T 45v/70vHX11RB是一款电压调节器，用于为外部负载提供电压基准。 可实现各种输出电压。可用于连接和布局邻接HX11BA禁带IP，该IP提供1.21V基准电压和24µA偏置电流，结构紧凑。
IP PDF 工艺：ONC18G/MS I4T 45v/70v
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