FDMS3602AS

不对称双 N 沟道，PowerTrench® 功率级 MOSFET，25V

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CAD模型

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此器件包括了两个特制的 N 沟道 MOSFET，采用双 PQFN 封装。开关节点已经内部连接，可实现同步降压转换器的轻松布置和布线。控制 MOSFET (Q1) 和同步 SyncFET (Q2) 可提供最佳功率能效。

应用

服务器

特性

Q2： N 沟道
最大值 r_DS(on) = 8.5 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 14 A
时）Q2： N 沟道
低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
符合RoHS标准

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMS3602AS

Obsolete

PQFN-8

483AJ

260

REEL

3000

Q1: 5.6, Q2: 2.2

N-Channel

Dual

Q1: 15.0, Q2: 26.0

Q1:2.2, Q2: 2.5

Q1: 8.5, Q2: 3.4

3260

Price N/A

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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