双 N 沟道功率 MOSFET 30V,7A,24mΩ

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此功率 MOSFET 是使用安森美半导体 的沟槽技术生产的,专门用于最大程度减小门极电荷,降低导通电阻。此器件适用于具有低门极电荷驱动或低导通电阻要求的应用。

  • LiB Protection Switch
  • Motor Drive
  • DSC, Fan Motor
  • RoHS compliance
  • Low On-Resistance
  • ESD Diode-Protected Gate
  • 4.0V drive
  • Composite type, Facilitating high-density mounting

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

ECH8659-TL-W

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Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

SOT-28 FL / ECH-8

1

260

REEL

3000

N

30

Q1=Q2=24

N-Channel

Dual

20

2.6

7

1.3

-

Q1=Q2=41

-

11.8

710

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