N 沟道 MOSFET 600V,20A,190mΩ,

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SuperFETTM 是新一代高压专属 MOSFET 系列产品,利用先进的电荷平衡机制实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进技术专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能,并且可以承受极端 dv/dt 速率,实现更高的雪崩能量。因此,SuperFET 非常适用于在开关模式运行的各种 AC/DC 电源转换中实现系统小型化和更高效率。

  • Automotive On Board Charger
  • Automotive DC/DC converter for HEV
  • 典型值 rDS(on) = 171 mΩ(VGS= 10 V、ID = 20 A
  • 典型Qg(tot)=78nC(VGS=10V、ID=20A
  • UIS 能力
  • 符合 RoHS 标准
  • 符合 AEC Q101 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FCB20N60F-F085

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

N

600

190

N-Channel

Single

±30

5

20

405

-

-

-

78

2305

Price N/A

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