功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET® II,FRFET®,650 V,76 A,41 mΩ,TO-247 窄体 4L

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SUPERFET II MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此先进工艺专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能,并且可以承受极端 dv/dt 速率。因此,SUPERFET II MOSFET 适用于各种电源系统,实现系统小型化和更高能效。SUPERFET II FRFET MOSFET 优化的体二极管逆向恢复性能可以消除附加组件,提高系统可靠性。

  • Telecomunication
  • Cloud system
  • Industrial
  • Telecom power
  • Server power
  • EV charger
  • Solar / UPS
  • 700 V @ TJ = 150°C
  • Typ. RDS(on) = 36 mΩ
  • Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 229 nC)
  • Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 631 pF)
  • 100% Avalanche Tested
  • RoHS Compliant

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FCH041N65EFLN4

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Pb

A

H

P

TO-247 4-LEAD, THIN LEADS

NA

0

TUBE

450

N

650

41

N-Channel

Single

DC: ±20, AC: ±30

5

76

595

-

-

-

229

-

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