N 沟道,SuperFET® II MOSFET 600V,20.2A,199mΩ

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SUPERFET® II MOSFET 是安森美半导体的全新高压超结 (SJ) MOSFET 系列,利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻,以及更低门极电荷方面的卓越性能。此工艺专用于最大程度降低导电损耗,提供卓越的开关性能、dv/dt 速率和更高的雪崩能量。因此,SuperFET II MOSFET 非常适用于开关电源应用,如 PFC、服务器/电信电源、FPD TV 电源、ATX 电源和工业电源应用。

  • TJ = 150°C 时为 650 V
  • RDS(on)最大值 = 199 mΩ
  • 超低栅极电荷(典型值Qg = 57 nC)
  • 低有效输出电容(典型值Coss.eff = 160 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试

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