功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM,500 V,16.5 A,380 mΩ,TO-3P

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UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻,提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

  • PDP TV
  • Uninterruptible Power Supplies
  • RDS(on) = 310 mΩ(典型值) @ VGS = 10 V, ID = 8.3 A
  • 低栅极电荷(典型值 32 nC)
  • 低Crss(典型值 20 pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 符合 RoHS 标准

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Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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FDA16N50LDTU

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A

H

P

TO-3P-3L

NA

0

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360

N

500

380

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Single

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5

16.5

205

-

-

-

32

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