N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,70A,9mΩ

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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,70A,9mΩ

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  • 典型 rDS(on) = 6.8 mΩ (VGS = 10 V、ID = 70 A)
  • VGS = 10V时,典型Qg(TOT) = 44nC
  • 低米勒电荷
  • 低 Qrr体二极管
  • UIS 能力(单脉冲和重复脉冲)
  • 符合 AEC Q101 标准
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDB8445-F085

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

D2PAK-3 / TO-263-2

1

245

REEL

800

N

40

9

N-Channel

Single

±20

4

70

92

-

-

-

44

2860

Price N/A

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