N 沟道 UniFETTM FRFET® MOSFET

添加至我的收藏

概览

UniFETTM MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品,基于平面条形技术和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低导通电阻,并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。 UniFET FRFET®MOSFET 体二极管的反向恢复性能通过寿命控制方式得到加强。 其 trr 小于 100nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 15V/nsec,而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此,它在 MOSFET 体二极管性能具有重要作用的某些应用中可消除多余的元件,并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

  • RDS(on) = 1.25Ω(典型值) @ VGS = 10 V, ID = 1.75 A
  • 低栅极电荷(典型值 11 nC)
  • 低Crss(典型值 5 pF)
  • 快速开关
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 性能
  • 符合 RoHS 标准

产品列表

如需购买产品或样品,请先登录您的安森美账号。

搜寻

Close Search

产品:

1

分享

Product Groups:

Orderable Parts:

1

产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDD5N50FTM-WS

Loading...

Last Shipments

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

N

500

1550

N-Channel

Single

5

5

3.5

40

-

-

-

11

490

Price N/A

More Details

Show More

1-25 of 25

Products per page

Jump to :