P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-35V,-21A,18mΩ

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P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-35V,-21A,18mΩ

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  • VGS = -10V,ID = -14A 时,rDS(on) = 9.7m (典型值)
  • rDS(on) = 14.4mΩ(典型值)(VGS = -4.5V, ID = -11A
  • Qg(10) = 45nC(典型值)(VGS = -10V
  • 高性能沟道技术可实现极低的 rDS(on)
  • 符合 AEC Q101
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDD6637-F085

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

N

-35

9.7

P-Channel

Single

25

-3

-21

68

-

14.4

11

45

2370

Price N/A

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