N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,50A,11.0mΩ

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N 沟道,PowerTrench® MOSFET,40V,50A,11.0mΩ

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  • 典型 rDS(on) = 7.0mΩ (VGS = 10 V、ID = 14 A)
  • 典型rDS(on) = 8.5mΩ (VGS = 4.5V, ID = 11A)
  • 快速开关
  • 符合AEC Q101
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDD8447L-F085

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Obsolete

CAD Model

Pb

A

H

P

DPAK-3 / TO-252-3

1

260

REEL

2500

N

40

7

N-Channel

Single

±20

3

50

65

-

8.5

-

37

1970

Price N/A

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