单 P 沟道,PowerTrench® MOSFET,-12V,-12A,12.5mΩ

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此器件专门针对手机和其他超便携应用中的电池充电或负载开关而设计。它具有一个带有低导通电阻的 MOSFET,且可针对 ESD 提供齐纳二极管保护。MicroFET 2x2 封装对于其物理尺寸来说提供了卓越的热性能,非常适合线性模式应用。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 最大值 rDS(on) = 12.5 mΩ(需 VGS = -4.5 V 且 ID = -12 A
  • 最大值 rDS(on) = 18 mΩ(需 VGS = -2.5 V 且ID = -10 A
  • 最大值 rDS(on) = 28 mΩ(需 VGS = -1.8 V 且ID = -8 A
  • 薄型 – 最大 0.8mm,采用新型 MicroFET 2x2 mm 封装
  • HBM 静电放电保护等级 > 2.8 kV 典型值 (注 3)
  • 无卤素化合物和锑氧化物
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMA908PZ

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Lifetime

CAD Model

Pb

A

H

P

DFN-6

1

260

REEL

3000

N

-12

-

P-Channel

Single

8

-1

-12

2.4

18

12.5

8.6

24

2638

$0.2561

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