FDMC15N06

55 V、15 A、90 mΩ、N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET

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这些N沟道功率MOSFET采用创新的UItraFET工艺制造。这种先进工艺技术实现了单位硅面积内最低的通态电阻，可以带来出色的性能。此器件能够在雪崩模式下承受高能量并且二极管具有极低的反向恢复时间和存储电荷。此器件设计用于能效非常重要的应用，例如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低电压总线开关以及便携式设备和电池供电产品的功率管理。

应用

AC-DC商用电源-服务器和工作站
工作站
服务器和大型机

特性

R_DS(on)=0.075Ω （典型值）需 V_GS=10V，I_D=15A
100% 经过雪崩击穿测试
符合 RoHS 标准

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Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMC15N06

Last Shipments

WDFN-8

511DQ

260

REEL

3000

N-Channel

Single

±20

8.8

265

Price N/A

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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