FDMC86102LZ

N 沟道，屏蔽门极，PowerTrench® MOSFET，100 V，22A，24mΩ

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此 N 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench®工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能。增加了 G-S 齐纳以提高 ESD 电压水平。

应用

消费电子

特性

屏蔽栅极 MOSFET 技术
最大 r_DS(on)=24 mΩ，当 V_GS=10 V、I_D=6.5 A
最大 r_DS(on)=35 mΩ，当 V_GS=4.5 V、I_D=5.5 A
HBM 静电放电保护等级一般达到 >6 KV（注 4）
100% 经过 UIL 测试
符合 RoHS 标准

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Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

V_(BR)DSS Min (V)

R_DS(on) Max @ V_GS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

V_GS Max (V)

V_GS(th) Max (V)

I_D Max (A)

P_D Max (W)

R_DS(on) Max @ V_GS = 2.5 V (mΩ)

R_DS(on) Max @ V_GS = 4.5 V (mΩ)

Q_g Typ @ V_GS = 4.5 V (nC)

Q_g Typ @ V_GS = 10 V (nC)

C_iss Typ (pF)

Reference Price

FDMC86102LZ

Active

WDFN-8

511DH

260

REEL

3000

100

N-Channel

Single

±20

2.2

7.6

969

$0.6726

产品型号:

分销代理商		Stock	BUY

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