N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V,131A,2.5mΩ

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此 N 沟道 MOSFET 专为提高 DC/DC 转换器的总能效以及最大程度降低其开关节点噪声而设计,可以使用同步开关 PWM 控制器,也可以使用传统开关 PWM 控制器。它经过了优化,可实现低门极电荷、低 RDS(ON)、快速开关和体二极管逆向恢复功能。

  • 消费电子
  • Max rDS(on) = 2.5 mΩ at VGS = 10V, ID = 26 A
  • Max rDS(on) = 3.6 mΩ at VGS = 4.5V, ID = 21.5 A
  • Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
  • MSL1 robust package design
  • 100% UIL tested
  • RoHS Compliant

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS8020

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Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

30

2.5

N-Channel

Single

20

3

131

65

-

3.6

16

21

2855

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