40V N沟道PowerTrench® MOSFET

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此 N 沟道 MOSFET 器件采用Fairchild先进的 PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态阻抗并保持卓越的开关性能而定制的。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • 最大值 rDS(on) = 0.85 mΩ(VGS = 10 V,ID = 47 A
  • 最大 rDS(on) = 1.2 mΩ,需 VGS = 4.5 V、ID = 38 A
  • 低rDS(on) 和高效的先进硅封装
  • MSL1 耐用封装设计
  • 100% 经过 UIL 测试
  • 符合 RoHS 标准

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产品

状态

CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS8350L

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CAD Model

Pb

A

H

P

PQFN-8

1

260

REEL

3000

N

40

0.85

N-Channel

Single

±20

3

290

113

-

1.2

-

80

12500

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