双 N 沟道,PowerTrench® MOSFET,30V

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此器件在一个独特的双 Power 56 封装内包括了两个专用 MOSFET。它提供了能效和 PCB 利用率方面优化的同步降压功率级。该低开关损耗高压侧 MOSFET 由低导通损耗低压侧 SyncFET™ 提供互补。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • Synchronous Buck converter for Notebook System Power
  • Synchronous Buck converter for General Purpose Point of Load
  • Q1 N沟道
  • 最大值 RDS(on) = 8.5mΩ(VGS = 10V,ID = 12A)
  • 最大值 RDS(on) = 12.4mΩ(VGS = 4.5V,ID = 10A)Q2 N沟道
  • 最大值 RDS(on) = 5.5mΩ(VGS = 10V,ID = 16A)
  • 最大值 RDS(on) = 7.0mΩ(VGS = 4.5V,ID = 14A)
  • 低QD高端MOSFET
  • 低RDS(on)低端MOSFET

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CAD Models

Compliance

Package Type

Case Outline

MSL Type

MSL Temp (°C)

Container Type

Container Qty.

ON Target

V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

Reference Price

FDMS9600S

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CAD Model

Pb

A

H

P

WDFN-8

1

260

REEL

3000

N

30

7

N-Channel

Single

20

3

Q1: 32.0, Q2: 30.0

2.5

-

7

-

21

2300

Price N/A

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