功率 MOSFET,N 沟道,UniFETTM II,FRFET®,500 V,7 A,1 Ω,TO-220F

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UniFETTM II MOSFET 是基于先进的平面条纹和 DMOS 工艺的高压 MOSFET 系列。此先进的 MOSFET 系列在平面 MOSFET 中具有最小的导通电阻,同时可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。另外,内部门极电源 ESD 二极管使得 UniFET II MOSFET 可承受 2kV 以上的 HBM 电涌应力。UniFET II FRFET® MOSFET 的体二极管的逆向恢复性能由于终生控制而得以提高。其 trr 小于 100nsec,逆向 dv/dt 抗扰度为 15V/ns,而普通 MOSFET 的这两个指标分别为 200nsec 和 4.5V/nsec 以上。因此,在 MOSFET 体二极管的性能非常重要的某些应用中,它可以消除附加组件,提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电力转换器应用,如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • LCD / LED / PDP TV
  • Lighting
  • Uninterruptible Power Supplies
  • AC-DC Power Supplies
  • RDS(on) = 850mΩ (典型值)@ VGS = 10V, ID = 3.25A
  • 低栅极电荷(典型值 14nC)
  • 低 Crss(典型值 5pF)
  • 100% 经过雪崩击穿测试
  • 提高了 dv/dt 处理能力
  • 改进了 ESD 防护能力
  • 符合 RoHS 标准

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V(BR)DSS Min (V)

RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)

Channel Polarity

Configuration

VGS Max (V)

VGS(th) Max (V)

ID Max (A)

PD Max (W)

RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ)

RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)

Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

Ciss Typ (pF)

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